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掺钴非晶碳膜/硅光伏器件及其制备方法

作者: 来源:  日期:2017/06/20 10:02:09 人气:

成果名称

掺钴非晶碳膜/硅光伏器件及其制备方法

所属领域

材料

成果简介:

中国发明专利,专利号:2016101626031

本发明涉及光伏技术,具体涉及一种掺钴非晶碳膜/硅光伏器件及其制备方法。

市场预测

(1)本发明器件为a-C:Co/n-Si形成的P-N结。经测试:该器件在波长为532nm(绿光)、功率为50mW/cm2的半导体激光照射下,显示出良好的光伏特性,开路电压为0.32 V,短路电流为5.6mA/cm2;进一步测试又表明该器件在室温下光伏特性最好,当温度在270K(-3℃)以上时,温度对光伏效应的影响很小,表明本发明器件具有受环境温度影响小,工作稳定度高的优点。

(2)本发明器件易于回收重复利用,只需要灼烧碳膜,将其变为二氧化碳气体排出,剩下的n-Si基片经过简单的清洁处理,即可重新再用于制备该器件,为此可大幅度减少可能产生的环境垃圾。

(3)本发明器件由于非晶碳膜的硬度接近金刚石,抗腐蚀及耐磨损性能好,因此附着或结合于普通建筑材料表面,即可实现太阳能电池的光电转换功能,能节省大量安装空间。

投资效益分析

本发明器件所取用的原材料价格低廉、制备工艺简洁、成本较低,且无污染物产生,有利于环境保护。

合作方式:

技术转让

发明人

翟章印

联系电话

0517-83526169

E-mail

zhangyinz@sina.com

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