成果简介：
中国发明专利，专利号：2016101626031
本发明涉及光伏技术，具体涉及一种掺钴非晶碳膜/硅光伏器件及其制备方法。
市场预测：
（1）本发明器件为a-C:Co/n-Si形成的P-N结。经测试：该器件在波长为532nm(绿光)、功率为50mW/cm2的半导体激光照射下，显示出良好的光伏特性，开路电压为0.32 V，短路电流为5.6mA/cm2；进一步测试又表明该器件在室温下光伏特性最好，当温度在270K(-3℃)以上时，温度对光伏效应的影响很小，表明本发明器件具有受环境温度影响小，工作稳定度高的优点。
（2）本发明器件易于回收重复利用，只需要灼烧碳膜，将其变为二氧化碳气体排出，剩下的n-Si基片经过简单的清洁处理，即可重新再用于制备该器件，为此可大幅度减少可能产生的环境垃圾。
（3）本发明器件由于非晶碳膜的硬度接近金刚石，抗腐蚀及耐磨损性能好，因此附着或结合于普通建筑材料表面，即可实现太阳能电池的光电转换功能，能节省大量安装空间。
投资效益分析：
本发明器件所取用的原材料价格低廉、制备工艺简洁、成本较低，且无污染物产生，有利于环境保护。
合作方式：
技术转让
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