成果简介：
中国发明专利，专利号：ZL2016100698776
本发明涉及光敏电阻技术，具体涉及一种钴掺杂的非晶碳膜/GaAs/Ag光敏电阻器件及其制备方法。
市场预测：
本发明器件为a-C：Co/GaAs形成的p-n结和GaAs/Ag形成肖特基结的两结串联结构，p-n结显著增强了光电流，肖特基结势垒降低暗电流，在特定正向偏压下可获得最大的光电流与暗电流比的光灵敏度或光电导。经测试，该器件在波长为650nm（红光）功率为45 mW/cm2激光二极管的光照下，开路电压从0.45V减小为0.25V；加0.3V正向偏压室温光电导（光灵敏度）达650，而200K以下甚至达104以上，反向偏压下无光导现象；光照特性测试结果为线性。因此，该器件不仅红光敏感、光灵敏度高、光响应速度快，还具有线性的光照特性，可用作火警报警的光电开关或光功率计。
投资效益分析：
本发明器件所取用的原材料价格低廉，制备工艺简洁，并且环保无污染。可望取得很好的投资效益。
合作方式：
技术转让
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