成果简介：
中国发明专利，专利号：2016102303530
本发明涉及记忆存储技术，具体涉及一种铝/铁掺杂非晶碳膜/铝的记忆电阻存储器件及其制备方法。
市场预测：
（1）本发明纳米薄膜记忆电阻存储器具有Al/a-C:Fe/Al结构。经测试，在室温下，该器件存在两种电阻态：高阻态和低阻态，高阻态电阻为862Ω，低阻态电阻为275Ω。在外加电压小于4V时，器件可以稳定地处于低阻或高阻态。当受到高于4V的电压时，则会由某一电阻态跳跃到另一电阻态上。即在2V工作电压基础上串联一个4V的脉冲电压触发，就可实现高低电阻态之间的切换，从而完成一次写入操作。
（2）本发明由于可以通过简单的脉冲电压进行写入，而通过检测电阻态即可读取，因此读写速度快，可重复性强。另外，本器件还具有结构简单，稳定、耐振动的优点。
投资效益分析：
本发明器件所取用的原材料价格低廉，制备工艺简洁，并且环保无污染。另外，该器件很容易回收重复利用。只需要灼烧碳膜，将其变为二氧化碳气体排出，剩下的石英玻璃基片经过简单的处理，即可重新用于制备该器件。
合作方式：
技术转让
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